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A novel approach for designing the next generation of vertex detectors foresees to employ wafer-scale sensors that can be bent to truly cylindrical geometries after thinning them to thicknesses of 20–40 μm. To solidify this concept, the feasibility of operating bent MAPS was demonstrated using 1.5cm×3cm ALPIDE chips. Already with their thickness of 50µm, they can be successfully bent to radii of about 2cm without any signs of mechanical or electrical damage. During a subsequent characterisation using a 5.4GeV electron beam, it was further confirmed that they preserve their full electrical functionality as well as particle detection performance. In this article, the bending procedure and the setup used for characterisation are detailed. Furthermore, the analysis of the beam test, including the measurement of the detection efficiency as a function of beam position and local inclination angle, is discussed. The results show that the sensors maintain their excellent performance after bending to radii of 2cm, with detection efficiencies above 99.9% at typical operating conditions, paving the way towards a new class of detectors with unprecedented low material budget and ideal geometrical properties.
First demonstration of in-beam performance of bent Monolithic Active Pixel Sensors / Aglieri Rinella, G., Agnello, M., Alessandro, B., Agnese, F., Akram, R.S., Alme, J., Anderssen, E., Andreou, D., Antinori, F., Apadula, N., Atkinson, P., Baccomi, R., Badalà, A., Balbino, A., Bartels, C., Barthel, R., Baruffaldi, F., Belikov, I., Beole, S., Becht, P., et al.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - 1028:(2022), pp. 166280-166286. [10.1016/j.nima.2021.166280]
First demonstration of in-beam performance of bent Monolithic Active Pixel Sensors
G. Aglieri Rinella;M. Agnello;B. Alessandro;F. Agnese;R. S. Akram;J. Alme;E. Anderssen;D. Andreou;F. Antinori;N. Apadula;P. Atkinson;R. Baccomi;A. Badalà;A. Balbino;C. Bartels;R. Barthel;F. Baruffaldi;I. Belikov;S. Beole;P. Becht;A. Bhatti;M. Bhopal;N. Bianchi;M. B. Blidaru;G. Boca;J. Bok;G. Bonomi;M. Bonora;M. Borri;V. Borshchov;E. Botta;G. E. Bruno;M. Buckland;S. Bufalino;M. Cai;P. Camerini;P. Cariola;F. Catalano;C. Ceballos Sanchez;I. Chakaberia;M. Chartier;F. Colamaria;D. Colella;A. Collu;M. Concas;G. Contin;S. Costanza;P. Cui;A. Dainese;J. B. Dainton;L. De Cilladi;C. De Martin;G. De Robertis;W. Deng;A. Di Mauro;Y. Ding;M. Durkac;D. Elia;M. R. Ersdal;M. Faggin;F. Fan;A. Fantoni;P. Fecchio;A. Feliciello;G. Feofilov;A. Ferk;J. Ferencei;G. Fiorenza;A. N. Flores;E. Fragiacomo;D. Gajanana;A. Gal;C. Gao;C. Gargiulo;P. Gianotti;P. Giubilato;A. Grant;L. Greiner;A. Grelli;O. S. Groettvik;F. Grosa;C. Guo Hu;R. Hannigan;J. A. Hasenbichler;H. Helstrup;H. Hillemanns;C. Hills;P. Hindley;B. Hippolyte;B. Hofman;G. H. Hong;G. Huang;J. P. Iddon;H. Ilyas;M. A. Imhoff;A. Isakov;A. Jadlovska;S. Jadlovska;J. Jadlovsky;S. Jaelani;T. Johnson;A. Junique;P. Kalinak;A. Kalweit;M. Keil;Z. Khabanova;H. Khan;B. Kim;C. Kim;J. Kim;J. Kim;T. Kim;J. Klein;A. Kluge;C. Kobdaj;A. Kotliarov;I. Králik;F. Krizek;T. Kugathasan;C. Kuhn;P. G. Kuijer;S. Kushpil;M. J. Kweon;J. Y. Kwon;Y. Kwon;P. La Rocca;A. Lakrathok;R. Langoy;P. Larionov;E. Laudi;T. Lazareva;R. Lea;R. C. Lemmon;X. L. Li;J. Lien;B. Lim;S. H. Lim;S. Lindsay;A. Liu;J. Liu;J. Liu;M. Lunardon;G. Luparello;M. Lupi;M. Mager;A. Maire;Q. W. Malik;G. Mandaglio;V. Manzari;Y. Mao;G. V. Margagliotti;C. Markert;D. Marras;P. Martinengo;S. Masciocchi;M. Masera;A. Masoni;A. Mastroserio;P. F. T. Matuoka;G. Mazza;F. Mazzaschi;M. A. Mazzoni;F Morel;V. Muccifora;A. Mulliri;L. Musa;S. V. Nes;D. Nesterov;J. Norman;J. Park;R. N Patra;C. Pastore;H. Pei;X. Peng;S. Piano;C. Pinto;S. Pisano;S. Politano;E. Prakasa;F. Prino;M. Protsenko;M. Puccio;A. Rachevski;L. Ramello;F. Rami;I. Ravasenga;A. Rehman;F. Reidt;F. Riggi;K. Røed;D. Röhrich;F. Ronchetti;A. Rosano;M. J. Rossewij;A. Rossi;R. Rui;R. Russo;R. Sadikin;V. Sarritzu;J. Schambach;S. Senyukov;J. J. Seo;R. Shahoyan;S. Shaukat;S. Siddhanta;M. Sitta;R. J. M. Snellings;W. Snoeys;A. Songmoolnak;J. Sonneveld;F. Soramel;M. Suljic;S. Sumowidagdo;D. Sun;X. Sun;G. J. Tambave;G. Tersimonov;M. Tkacik;M. Toppi;A. Trifiró;S. Trogolo;V. Trubnikov;R. Turrisi;T. S. Tveter;I. Tymchuck;K. Ullaland;M. Urioni;G. L. Usai;N. Valle;L. V. R. van Doremalen;T. Vanat;J. W. Van Hoorne;M. Varga-Kofarago;A. Velure;D. Wang;Y. Wang;J. Wikne;J. R. Wright;R. Xu;P. Yang;Z. Yin;I. -K. Yoo;J. H. Yoon;S. Yuan;V. Zaccolo;E. Zhang;X. Zhang;V. Zherebchevskii;D. Zhou;J. Zhu;Y. Zhu;G. Zinovjev;N. Zurlo
2022-01-01
Abstract
A novel approach for designing the next generation of vertex detectors foresees to employ wafer-scale sensors that can be bent to truly cylindrical geometries after thinning them to thicknesses of 20–40 μm. To solidify this concept, the feasibility of operating bent MAPS was demonstrated using 1.5cm×3cm ALPIDE chips. Already with their thickness of 50µm, they can be successfully bent to radii of about 2cm without any signs of mechanical or electrical damage. During a subsequent characterisation using a 5.4GeV electron beam, it was further confirmed that they preserve their full electrical functionality as well as particle detection performance. In this article, the bending procedure and the setup used for characterisation are detailed. Furthermore, the analysis of the beam test, including the measurement of the detection efficiency as a function of beam position and local inclination angle, is discussed. The results show that the sensors maintain their excellent performance after bending to radii of 2cm, with detection efficiencies above 99.9% at typical operating conditions, paving the way towards a new class of detectors with unprecedented low material budget and ideal geometrical properties.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.